第2題：  以下關(guān)于SRAM和DRAM儲存器的敘述中正確的是（）。
A． 與DRAM相比，SRAM集成率低，功率大、不需要動態(tài)刷新
B． 與DRAM相比，SRAM集成率高，功率小、需要動態(tài)刷新
C． 與SRAM相比，DRAM集成率高，功率大、不需要動態(tài)刷新
D．與SRAM相比，DRAM集成率低，功率大、需要動態(tài)刷新
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第3題： 為了實現(xiàn)多級中斷,保存程序現(xiàn)場信息最有效的方法是使用()。
A．通用寄存器
B．累加器
C．堆棧
D．程序計數(shù)器
答案解析與討論：www.richmond-chase.com/st/5218429991.html

第4題： 以下關(guān)于RISC 和 CICS的敘述中,不正確的是()。
A．RISC的大多指令在一個時鐘周期內(nèi)完成
B．RISC普遍采用微程序控制器, CICS則普遍采用硬布線控制器
C．RISC的指令種類和尋指方式相對于CICS更少
D．RISC和 CICS都采用流水線技術(shù)
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